Арсенид галлия — полупроводниковое соединение галлия и мышьяка, третье по масштабам использования в полупроводниковой промышленности, после германия и кремния.

Из арсенида галлия изготавливают солнечные элементы Международной космической станции (МКС), которые в два раза более эффективны по сравнению с лучшими кремниевыми аналогами, и способны, к тому же, на длительную работу в условиях ионизирующего излучения в космосе.

В Иллинойском университете в Урбане-Шампейн (США) разработана технология, позволяющая обойти наиболее дорогостоящую стадию изготовления арсенида галлия. Обычно полупроводник выпускается в виде толстых пластин, которые нарезаются на фрагменты в соответствии с дальнейшими производственными нуждами, тогда как для применения в солнечных батареях достаточно тонкой плёнки полупроводника.

По новой методике арсенид галлия можно изготавливать в виде тонких плёнок, наращиваемых на поверхности арсенида алюминия. Затем с помощью тонких химических манипуляций и обычного силиконового канцелярского штемпеля, полупроводник можно от этой подложки «отодрать». В результате получаются тонкие пластины арсенида галлия размером 0,5х0,5 мм, которые легко переносятся на любые другие поверхности — стекло или полимеры, на которых с помощью освоенных химических технологий их замыкают в электрические цепи.

Пластины арсенида галлия могут применяться для изготовления солнечных батарей.

Учёные надеются добиться разработки солнечных батарей, стоимость которых позволит «снимать» с них 1 Ватт мощности при коммерчески оправданных затратах в 1 доллар США.

См. Арсениды